2N7002K参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
60V |
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连续漏极电流（最大） |
0.3A |
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功率耗散（最大） |
0.35W |
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栅源极击穿电压 |
20V |
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漏源导通电阻（典型值）(10V) |
1Ω |
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漏源导通电阻（典型值）(4.5V) |
1.3Ω |
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封装 |
SOT23 |
2N7002K引脚图/引脚功能
2N7002K典型应用电路图
应用领域
• 直接逻辑电平接口：TTL/ CMOS
• 驱动：继电器，螺线管，照明灯，锤子，显示器，存储器，晶体管等
• 电池供电系统
• 固态继电器
2N7002K典型效率曲线
