NCE30H10K参数
|
制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
|
漏源极击穿电压（最大） |
30V |
|
连续漏极电流（最大） |
100A |
|
功率耗散（最大） |
90W |
|
栅源极击穿电压 |
20V |
|
漏源导通电阻（典型值）(10V) |
4mΩ |
|
漏源导通电阻（典型值）(4.5V) |
5mΩ |
|
封装 |
TO252 |
NCE30H10K概述
该NCE30H10K采用先进的沟槽技术和设计，以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。
NCE30H10K引脚图/引脚功能
NCE30H10K典型应用电路图
应用领域
• 电源开关的应用
• 硬开关和高频电路
• 不间断电源供应
NCE30H10K典型效率曲线
