NCE3025Q参数
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制造商
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产品种类
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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30V
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Id-连续漏极电流
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25A
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Pd-功率耗散
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25W
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Vgs-栅源极击穿电压
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20V
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Rds On@10V-漏源导通电阻
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7mΩ
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Rds On@4.5V-漏源导通电阻
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10.5mΩ
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封装
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DFN3X3 8L
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代换型号
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NCE3025Q概述
NCE3025Q采用先进的沟槽技术，并具有出色的通导电阻能力和低栅极电荷。NCE3025Q具有非常广的应用范围。
NCE3025Q引脚图/引脚功能
NCE3025Q典型效率曲线
应用领域
• SMPS和常规应用
• 硬开关和高频电路
• 持续电源供应
