NCE01P18L参数
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制造商
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产品种类
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产品特性
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P沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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-100V
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Id-连续漏极电流
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-18A
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Pd-功率耗散
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70W
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Vgs-栅源极击穿电压
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20V
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Rds On@10V-漏源导通电阻
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85mΩ
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封装
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TO-251S
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代换型号
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NCE01P18L概述
NCE01P18L采用先进的沟槽技术，并具有出色的通导电阻能力，低栅极电荷和操作电压低至2.5V。NCE01P18L具有非常广的应用范围。NCE01P18L能够防止静电。
NCE01P18L引脚图/引脚功能
NCE01P18L典型效率曲线
应用领域
• 笔记本电脑的电源管理
• 便携式设备和电池供电系统 
