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NCE01P13K

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:3000

【封装】:TO252

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制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 3000
封装: TO252 包装: 管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: P沟道增强型功率MOSFET

NCE01P13K参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

P沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

-100V

连续漏极电流(最大)

-13A

功率耗散(最大)

40W

栅源极击穿电压

20V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

170mΩ

封装

TO252


NCE01P13K概述


该NCE01P13K采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)低栅极电荷。它可以在各种应用中使用。这是ESD保护。


NCE01P13K引脚图/引脚功能


新洁能NCE01P13K引脚图/引脚功能

NCE01P13K典型应用电路图


新洁能NCE01P13K典型应用电路图

应用领域


•  开关;电源开关
•  DC / DC转换

NCE01P13K典型效率曲线


新洁能NCE01P13K典型效率曲线

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