NCE4953A参数
|
制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
产品特性 |
P沟道增强型功率MOSFET |
|
漏源极击穿电压（最大） |
-30V |
|
连续漏极电流（最大） |
-5.3A |
|
功率耗散（最大） |
2.6W |
|
栅源极击穿电压 |
20V |
|
漏源导通电阻（典型值）(10V) |
37mΩ |
|
漏源导通电阻（典型值）(4.5V) |
60mΩ |
|
封装 |
SOP8 |
NCE4953A概述
该NCE4953A采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压低至4.5V的。这个装置是适合用作负载开关或PWM应用。
NCE4953A引脚图/引脚功能
NCE4953A典型应用电路图
应用领域
• PWM应用
• 负荷开关
• 电源管理
NCE4953A典型效率曲线
