长鑫目前已网罗SK海力士、华亚科及台厂DRAM设计公司相关人员，构成中日台的存储研发团队。长鑫日前正式曝光相关投资计划，预定第一期在合肥空港经济示范区兴建第一座12吋晶圆厂，明年7月动工，目前团队已逾50位员工，预定明年要达千人规模、2018年上看2,000人，这也是为何急于对台挖角的关键。
大陆发展自主存储已列入大陆国家发展目标，多方势力积极主导地位，其中，紫光列名国家级发展存储厂商外，也获大基金支持，今年8月整并武汉新芯成立长江存取公司，由紫光集团董事长赵伟国出任长江存储公司董事长，国家集成电路产业投资基金总经理丁文武出任副董事长，武汉新芯执行长杨士宁担任执行长。
据台湾媒体报道，近期大陆三股势力正如火如荼点燃DRAM主导权大战，长江存储传已评估到南京设立12吋厂，联电大陆DRAM厂福建晋华计划2018年量产，并在南科厂同步研发25、30纳米制程，至于合肥市与北京兆易创新(GigaDevice)合作的合肥长鑫，由前中芯国际执行长王宁国操刀，大陆这三股DRAM势力将决战2018年，抢当大陆DRAM产业龙头。
尽管大陆布局自制3DNANDFlash雏形渐现，长江存储将与已购并飞索(Spansion)的赛普拉斯(Cypress)合作，切入32层和64层3DNAND技术，由于门槛较高，长江存储仍有机会急起直追国际存储器大厂，然值得注意的是，全球存储器产业将率先上演大陆力争DRAM主导权戏码。
目前大陆DRAM势力处于战国时代，至少有三股DRAM势力全面竞逐版图，除了长江存储之外，还有联电旗下福建晋华，其主要操盘手为前瑞晶总经理、现任联电资深副总陈正坤，第三股DRAM势力则是合肥市政府结合GigaDevice及王宁国人马成立的合肥长芯。
长江存储与旗下武汉新芯原本是扮演大陆存储器中心角色，将统筹3DNAND和DRAM两大存储器技术发展，然大陆政府传出针对长江存储DRAM布局进行规范，若是自行研发DRAM技术必须先量产3DNAND，但若对外购买技术则无此限制，使得长江存储积极与国际大厂合作，以加速DRAM量产，并获得专利保护伞。
长江存储除了积极与美光洽谈DRAM技术专利授权，业界亦传出正着手评估自建或购并现有晶圆厂的可能性，甚至有意跟随台积电脚步评估在南京设立12吋晶圆厂，长江存储执行长杨士宁则表示，将以购并现有晶圆厂为第一考量。
近期武汉新芯12吋新厂已经动起来，单月产能规划30万片，涵盖NANDFlash和DRAM芯片，然业界预期长江存储两大产品线的生产基地，最终仍会分开进行。至于大陆另外两个DRAM阵营亦加快脚步展开研发自制，希望抢在长江存储之前先量产DRAM技术，以争取大陆DRAM产业宝座。
联电与福建晋江地方政府合作成立的福建晋华新厂已经动工，预计2018年进入量产，业界传出大陆注资近新台币100亿元，让联电在南科厂同时进行25、30纳米技术研发，预计2017年底完成技术开发，福建晋华则配合在2018年下半装机，届时联电南科厂DRAM技术将快速转到福建晋华量产。
尽管福建晋华至少要投入25纳米以下制程技术，才有机会获得大陆官方青睐，但联电采取较谨慎作法，避免一下子投入25纳米技术开发面临失败风险，遂同时研发30纳米作为备案。
大陆第三股DRAM势力系由王宁国操刀的合肥长鑫，原本合肥市政府和GigaDevice投资的厂房，传出主要投入DRAM相关存储器IC设计，然近期业界传出该阵营将豪掷逾新台币1,000亿元，同时进行DRAM研发和制造。
目前大陆这三股DRAM势力持续进行招兵买马，并双头并进朝向技术专利授权及自主技术研发模式发展，希望趁着大陆DRAM主导权还未底定之前先卡好位，预期2018年这三大DRAM阵营将力拚量产并陷入激战。
