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高通联发科都别争了!10nm工艺手机芯片首发居然是他

放大字体  缩小字体 发布日期:2016-10-10  浏览次数:28
核心提示:眼下高通、联发科和苹果A10X芯片纷纷争夺首先采用10nm工艺生产手机芯片,不过可能它们要失望了,真正首先在手机芯片上引入10nm工艺的可能不是这三家企业而是中国的一家手机芯片企业。

高通将采用三星的10nm工艺生产其新款的高端芯片骁龙830,当然采用该工艺的应该还有三星的Exynos8895芯片。联发科的helio X30和苹果的A10X将采用台积电的10nm工艺生产,虽然联发科信誓旦旦的说会领先,但是考虑到往年台积电优先照顾苹果的情况,联发科想率先采用10nm工艺还是有疑问的。

 

三星半导体和台积电都预计今年底或明年初量产10nm工艺,眼下正在紧锣密鼓的进行中。虽然这两家半导体制造企业都宣称自己即将量产的10nm工艺为全球最先进的,但是高通和联发科内部透露的消息则认为这是有一定的水分的,它们的工艺可能只是与Intel的14nmFinFET工艺相当。

FinFET工艺被认为是开发20nm以下的关键技术,而Intel率先在2012年量产的22nm工艺上引入了FinFET工艺,两年后,Intel推出新一代的FinFET工艺并命名为14nmFinFET。

及后台积电和三星半导体也开始引入FinFET工艺,去年上半年三星方面率先将引入FinFET工艺命名为14nmFinFET工艺;台积电担忧如果命名方面不跟进的话将不利于市场竞争,于是也跟着将去年下半年量产的FinFET工艺命名为16nmFinFET,而业界普遍认为这两家企业的14nm/16nmFinFET仅相当于Intel的20nmFinFET。

Intel方面则持续对14nmFinFET改进,不断提升其工艺的能效,目前依然是全球领先的半导体制造厂,据业内分析在生产出的芯片能效方面,台积电和三星今年底投产的10nm工艺或许能达到Intel的14nmFinFET的水平。

中国的手机芯片企业展讯早已与Intel达成合作,预计采用Intel的14nmFinFET工艺的展讯手机芯片本月就将投产,无疑展讯在采用先进工艺方面将领先于高通、联发科和苹果,从某种意义上来说展讯是率先采用与台积电和三星半导体10nm工艺相当的制造工艺的手机芯片企业,预计该款芯片将被三星采用。

Intel从之前只是将自己最先进的工艺用于自家的处理器,到如今开始将先进工艺提供给手机芯片企业也是一种无奈,由于PC市场的衰落而它自己在蓬勃发展的移动市场却难有作为,导致产能出现过剩,而展讯则吃了头啖汤。

展讯如今已经成为全球前十大手机芯片企业,成为联发科和高通的竞争对手,特别是在3G基带市场对这两家企业造成了沉重的竞争压力,据悉在3G基带市场展讯已经超过联发科仅稍微落后于高通,在中国移动要求的LTE Cat7技术研发方面展讯已领先联发科,在获得Intel先进工艺的支持下其产品竞争力将进一步提升。


 
 
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