HM2103B参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC
|
|
产品特性
|
输出源/漏极电流能力、独立逻辑输入
|
|
工作电压
|
10V-20V/高端工作电压600V
|
|
静态电流
|
150uA
|
|
I/O拉电流
|
0.3A
|
|
I/O灌电流
|
0.6A
|
|
上升时间
|
60nS
|
|
开延时
|
500nS
|
|
工作温度
|
-40°C~ +85°C
|
|
封装
|
SOP-8
|
|
替换型号
|
IR2103/IR2108
|
HM2103B概述
HM2103B是基于P_SUB P_EPI工艺的高压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可用于驱动两个N沟道功率MOSFET或IGBT，半桥配置工作电压高达600 V.逻辑 输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。匹配传播延迟以简化在高频应用中的使用。
HM2103B引脚图/引脚功能
HM2103B应用
● 中小功率电机驱动器
● 功率MOSFET或IGBT驱动器
● 半桥电源转换器
● 全桥电源转换器
