HMS60N10D参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道超级沟槽功率MOSFET
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产品特性
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优异的栅极电荷、导通电阻非常低
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漏源电压VDS
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100V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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60A
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电流IDM
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240A
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导通内阻RDS
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8.5mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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DF5*6-8
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替换型号
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/
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HMS60N10D概述
HMS60N10D使用超级沟槽技术独特优化，提供最高效的高频率切换性能。传导和开关功率损耗由于极端而最小化RDS（ON）和Qg的低组合。此设备是理想的高频开关和同步整流。
HMS60N10D典型应用电路图
HMS60N10D应用
● DC / DC转换器
