HM08P12D参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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P沟道MOSFET
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产品特性
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超低导通电阻与栅极电荷
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漏源电压VDS
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-12V
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栅源电压VGS
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-8V
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电流ID
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8A
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电流IDM
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28A
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导通内阻RDS
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28mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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DFN2*2-6
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替换型号
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AON2403
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HM08P12D应用
● PWM应用
● 负荷开关
● 电池充电的蜂窝手机
