HM4606B参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
N型和P沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高功率和电流移交能力
|
|
漏源电压VDS
|
30V/-30V
|
|
栅源电压VGS
|
20V/-20V
|
|
电流ID
|
6.5A/-7A
|
|
电流IDM
|
30A/-30A
|
|
导通内阻RDS
|
20mΩ/28mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
SOP8
|
|
替换型号
|
AO4606/AO4603/AO4604/AP4503/AP4501/STM8401
|
HM4606B概述
HM4606B采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON）和低栅极电荷。互补的MOSFET可被用于形成一个水平移位高侧切换，并为其他应用程序的主机。无铅产品，表面贴装型封装。
HM4606B引脚图/引脚功能
