HM3N40R参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低导通电阻、低栅极电荷、低反向传输电容
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漏源电压VDS
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400V
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栅源电压VGS
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30V
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电流ID
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3A
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电流IDM
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9A
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导通内阻RDS
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2.8Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOT223
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替换型号
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FQP3N40/STP3N40/UTC3N40/PFB3N40/FTP3N40/WFP3N40
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HM3N40R概述
HM3N40R，硅N沟道增强型VDMOSFET，是通过自对准平面技术减少传导损耗，提高开关性能和提高雪崩能量。 该晶体管可以用于各种电源开关电路系统小型化更高的效率。 包装形式为SOT-223，符合符合RoHS标准。
HM3N40R引脚图/引脚功能
HM3N40R典型应用电路图
HM3N40R应用
● LCD电源开关电路电源和适配器
