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HM10N65

【品牌】:华之美

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1000

【封装】:TO-220/TO-220F

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制造商: 深圳市华之美半导体有限公司 标准包装数: 1000
封装: TO-220/TO-220F 包装: 卷装/管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: 650V N沟道MOSFET

HM10N65参数


 
   制造商
  深圳市华之美半导体有限公司
   产品种类
   650V N沟道MOSFET
   产品特性
  低栅极电荷、高耐用性、提高dv/dt能力
   漏源电压VDS
   650V
  栅源电压VGS
  30V
   电流ID
   10A
   电流IDM
   40A
   导通内阻RDS
   0.85Ω
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   TO-220/TO-220F
   替换型号
   FQP10N65/FQN10N65/UTC10N65/STP10N65


HM10N65概述


 

HM10N65该功率MOSFET采用SL半导体先进的平面条DMOS技术。这种先进的技术已经特别定制最小化状态阻抗,提供卓越的切换性能,并承受高能脉冲雪崩和换向模式。 这些设备都很好适合低电压应用作为DC / DC转换器和高效率开关电源管理在便携式和电池操作的产品。
 

HM10N65引脚图/引脚功能

HM10N65引脚图/引脚功能



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