HM8N65参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
N沟道增强型场效应晶体管
|
|
产品特性
|
低栅极电荷、高耐用性、提高dv/dt能力
|
|
漏源电压VDS
|
650V
|
|
栅源电压VGS
|
30V
|
|
电流ID
|
8A
|
|
电流IDM
|
32A
|
|
导通内阻RDS
|
1.26Ω
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO-220/TO-220F
|
|
替换型号
|
FQP8N65/FQN8N65/UTC8N65/STP8N65
|
HM8N65概述
HM8N65该功率MOSFET采用SL半导体先进的平面条DMOS技术。这种先进的技术已经特别定制最小化状态阻抗，提供卓越的切换性能，并承受高能脉冲雪崩和换向模式。 这些设备都很好适合低电压应用作为DC / DC转换器和高效率开关电源管理在便携式和电池操作的产品。
HM8N65引脚图/引脚功能
