HM20N60参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型场效应晶体管
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产品特性
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低导通电阻、低栅极电荷、低反向传输电容
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漏源电压VDS
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600V
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栅源电压VGS
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30V
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电流ID
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20A
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电流IDM
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80A
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导通内阻RDS
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0.36Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO-220/TO-220F/TO3P
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替换型号
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FQP20N60/FQN20N60/UTC20N60/STP20N60
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HM20N60概述
HM20N60，硅N沟道增强型VDMOSFET，由自对准平面技术获得这降低了传导损耗，改善开关性能和提高雪崩能量。 晶体管可以可用于各种电源开关电路系统小型化和高效率。 包装形式是TO-220AB，符合RoHS标准。
HM20N60引脚图/引脚功能
HM20N60应用
● 适配器和充电器的电源开关电路
