HM8N20K参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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超低RDS（ON）的高密度电池设计
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漏源电压VDS
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200V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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8A
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电流IDM
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20A
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导通内阻RDS
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260mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/ TO252
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替换型号
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IRF630
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HM8N20K概述
HM8N20K采用先进的沟槽技术设计，以提供具有低栅极电荷的优秀的RDS（ON）。 它可用于各种应用。完全表征的雪崩电压和电流，低栅极到漏极充电，以减少开关损耗。
HM8N20K引脚图/引脚功能
HM8N20K典型应用电路图
HM8N20K应用
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
