HM30P10参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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P沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计、超低导通电阻
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漏源电压VDS
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-100V
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栅源电压VGS
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-20V
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电流ID
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-30A
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电流IDM
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-120A
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导通内阻RDS
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45mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220
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替换型号
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STP30P10/FQP30P10/AOD407/IRFR5410/IRFR9120N/CMP5950/CED30P10/ IXTS30P10/2SJ656
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HM30P10概述
HM30P10采用先进的沟槽技术和设计以提供具有低栅极电荷的优良R DS（ON）。 有可能用于各种应用。超高密度单元设计，可靠，坚固耐用，先进的沟槽工艺技术。
HM30P10引脚图/引脚功能
HM30P10典型应用电路图
HM30P10应用
● 便携式设备和电池供电系统
