HM50P06K参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
P沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高密度电池设计超低导通电阻
|
|
漏源电压VDS
|
-60V
|
|
栅源电压VGS
|
-20V
|
|
电流ID
|
-50A
|
|
电流IDM
|
-150A
|
|
导通内阻RDS
|
23mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO252
|
|
替换型号
|
ME50P06/SUP50P06/SUD50P06/IRF4905/MTD50P06/NTB50P06
|
HM50P06K概述
HM50P06K采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。这设备是非常适合用于高电流负载应用。充分界定雪崩电压和电流，良好的稳定性和均匀性，优秀的包装为良好的散热。
HM50P06K引脚图/引脚功能
HM50P06K典型应用电路图
HM50P06K应用
● 负荷开关
