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HM50P03D

【品牌】:华之美

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1000

【封装】:DFN5*6-8

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制造商: 深圳市华之美半导体有限公司 标准包装数: 1000
封装: DFN5*6-8 包装: 卷装/管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: P沟道增强型功率MOSFET

HM50P03D参数


 
   制造商
  深圳市华之美半导体有限公司
   产品种类
   P沟道增强型功率MOSFET
   产品特性
  高密度电池设计超低导通电阻
   漏源电压VDS
   -30V
  栅源电压VGS
  -20V
   电流ID
   -50A
   电流IDM
   -70A
   导通内阻RDS
   7mΩ
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   DFN5*6-8
   替换型号
   AON6405/AON6435/IRFH9310/ME7609D

HM50P03D概述


 

HM50P03D采用先进的沟槽技术和设计,提供优良的R DS(ON)低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。充分界定雪崩电压和电流,良好的稳定性和均匀性,优秀的包装为良好的散热,特殊工艺技术,高ESD能力。
 

HM50P03D典型应用电路图


 
HM50P03D典型应用电路图
 

HM50P03D应用


 
●  电池和负载开关
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