HM4886E参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
双N沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
ESD保护、可靠耐用、高密度电池设计超低导通电阻
|
|
漏源电压VDS
|
100V
|
|
栅源电压VGS
|
20V
|
|
电流ID
|
3.5A
|
|
电流IDM
|
20A
|
|
导通内阻RDS
|
85mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
SOP-8
|
|
替换型号
|
AO4886
|
HM4886E引脚图/引脚功能
HM4886E典型应用电路图
HM4886E应用
● 同步整流
● 在逆变器系统电源管理
