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4N65Z-E

【品牌】:UTC

【单价】:请询价

【库存交期】:4~6周

【最小起订量】:1个

【封装】:TO-220F1/TO-252

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制造商: 台湾友顺科技集团公司 标准包装数: 2000
封装: TO-220F1/TO-252 包装:
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: 4A, 650V N沟道MOSFET

4N65Z-E参数


 
  制造商
  台湾友顺科技集团公司
  产品种类
   4A, 650V N沟道MOSFET
  产品特性
  快速交换能力、改善dv / dt能力,高强度
  电压VDSS
   650V
  电流ID
   4A
  电流IDM
   16A
  工作温度
  -55°C~ +150°C
  封装
   TO220F1/ TO-252
  替换型号
   /


4N65Z-E概述


 

UTC 4N65Z-E是一个高电压功率MOSFET设计有更好的特性,如快速开关时间,较低的门电荷,低开态电阻和高坚固的雪崩的特点。这种功率MOSFET通常用于高速切换应用程序包括电源、PWM电机控制,高效直流对直流转换器和桥电路。
 

4N65Z-E引脚图/引脚功能


 
UTC  4N65Z-E引脚图/引脚功能

 

4N65Z-E典型应用电路图



UTC  4N65Z-E典型应用电路图
 
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