6N65Z-Q参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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6.2A，650V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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快速切换能力、改进的dv / dt能力，高耐用性
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电压VDSS
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650V
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电流ID
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6.2A
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电流IDM
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24.8A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F
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替换型号
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/
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6N65Z-Q概述
6N65Z-Q是UTC一款高电压功率MOSFET设计有更好的特性，如快速切换时间，低栅收费，低通态电阻和高耐用雪崩特点。这个功率MOSFET通常在高速使用开关电源和适配器开关应用。
6N65Z-Q引脚图/引脚功能
6N65Z-Q典型应用电路图
