10N65Z参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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10A，650V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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栅极电荷、低CRSS、快速切换、100％雪崩测试
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输入电压
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-0.5V ~ +4.6V
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输出电压
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-0.5V ~ VCC+0.5V
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输出电流
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±20mA
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工作温度
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-65°C~ +150°C
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封装
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SOT235/ SOT353/ DFN-6
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替换型号
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10N65Z概述
10N65Z是UTC一种高电压，大电流电源的MOSFET，设计成具有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻和高坚固耐用的特点雪崩。这个功率MOSFET通常在电源高速开关应用中，PWM马达控制，高效率的DC到DC转换器和桥电路。
10N65Z引脚图/引脚功能
