3N80Z参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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3A，800V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速开关能力
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电压VDSS
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800V
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电流ID
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3A
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电流IDM
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12A
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雪崩能量EAS
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80mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F1/ TO252
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替换型号
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/
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3N80Z概述
UTC 3N80Z提供出色的RDS（ON），低栅极电荷与低栅极电压操作。本装置适用用作负载开关或PWM应用。
3N80Z引脚图/引脚功能
3N80Z典型应用电路图
