10N70T参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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10A，700V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低栅极电荷、低CRSS、快速切换、100％雪崩测试
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电压VDSS
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700V
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电流ID
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10A
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电流IDM
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40A
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雪崩能力EAS
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55mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F/ TO220F2
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替换型号
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/
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10N70T概述
10N70T是UTC一种高电压，大电流电源的MOSFET，设计成具有更好的特性，如快速开关时间，改进dv/ dt能力，低门电荷，低通态电阻和有高坚固雪崩特点。这是功率MOSFET通常在电源高速开关应用中使用，PWM马达控制，高效率的DC到DC转换器和桥电路。
10N70T引脚图/引脚功能
10N70T典型应用电路图
