HM3400/B参数
|
制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
|
沟道 |
N沟道 |
|
漏-源电压（最大） |
30V |
|
栅-源电压 |
12V |
|
栅源阈值电压（典型值） |
0.9V |
|
漏极直流电流（最大值） |
5.8A |
|
最大脉冲漏电流 |
30A |
|
栅源通态电阻 |
25mΩ |
|
封装 |
SOT23/SOT23-3L |
|
代换型号 |
AO3400/AO3402/AP2306/SI2306/APM2306/WNM2306 |
HM3400/B概述
该HM3400/B采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作闸在电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。
HM3400/B引脚图/引脚功能
HM3400/B典型应用电路图
应用领域
• PWM应用
• 负荷开关
• 电源管理
