HM2309参数
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制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
P沟道60V（D-S） |
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沟道 |
P沟道 |
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漏-源电压（最大） |
-60V |
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栅-源电压 |
-20V |
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栅源阈值电压（典型值） |
-3.0V |
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漏极直流电流（最大值） |
-1.8A |
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最大脉冲漏电流 |
-7A |
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栅源通态电阻 |
170mΩ |
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封装 |
SOT23-3L |
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代换型号 |
Si2309 |
HM2309概述
该HM2309是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管都采用高细胞密度生产，DMOS沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于尽量减少对通态电阻。
应用领域
• 电源管理
• 便携式设备
• 电池供电系统
• 负载开关
HM2309典型效率曲线
