MEM2306参数
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制造商
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产品种类
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金属氧化层半导体场效应晶体管
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产品特性
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极低的栅极电荷、超大密度单元、极小的RDS(ON)
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模式
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Double-N
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漏源电压VDS
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20V
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栅源电压VGS
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12V
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漏极电流ID
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6A
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超低内阻
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22mΩ
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封装
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SOP8
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代换型号
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MEM2306概述
MEM2306系列 双N沟道增强型功率 场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2306SG适用于低压应用，例如移动电 话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电 路。
MEM2306引脚图/引脚功能
MEM2306应用领域
● 移动电话、手机
● MID
● GPS
● 直流/直流转换器
● 负荷开关
● 笔记本电池管理
● 液晶显示逆变器
● 电池供电系统
● LCD显示适配器
● 便携式设备
