NCE25GD120P参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
IGBT晶体管 |
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产品特性 |
1200V, 25A, Trench NPT IGBT |
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技术 |
沟 NPT |
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集电极、发射极间电压（最大）@25℃ |
1200V |
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功率耗散（最大）@25℃ |
312W |
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栅极发极间电压（最大） |
30V |
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饱和压降（典型值）（15V） |
2V |
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封装 |
TO-3P |
NCE25GD120P概述
采用先进的沟槽技术不扩散核武器条约，NCE的1200V IGBT的提供优越的传导和开关性能，易并联运行，出色的雪崩坚固性。该器件是专为软开关应用。
NCE25GD120P引脚图/引脚功能
应用领域
• 感应加热，微波炉，逆变器，UPS等
• 软开关应用
NCE25GD120P典型效率曲线
