NCE5020Q参数
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制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N-50V Trench MOSFET |
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漏源极击穿电压（最大） |
50V |
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连续漏极电流（最大） |
20A |
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功率耗散（最大） |
35W |
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栅源极击穿电压 |
20V |
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漏源导通电阻 |
19mΩ |
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封装 |
DFN3X3 8L |
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代换型号 |
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NCE5020Q概述
该NCE5020Q采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。它可以在各种应用中使用。
