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NCE3030K

【品牌】:NCEPOWER

【单价】:请询价

【库存交期】:2-4周

【最小起订量】:3000

【封装】:TO252

【下载】: PDF文档下载

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制造商: 无锡新洁能股份有限公司 标准包装数: 3000
封装: TO252 包装: 管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: N沟道增强型功率MOSFET

NCE3030K参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道增强型功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

30V

连续漏极电流(最大)

30A

功率耗散(最大)

30W

栅源极击穿电压

20V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

10mΩ

漏源导通电阻(典型值)(4.5V)

13mΩ

封装

TO252


NCE3030K概述


该NCE3030K采用先进的沟槽技术和设计,以提供优良的RDS(ON)低栅极电荷。它可以在各种各样的应用中。


NCE3030K引脚图/引脚功能


新洁能NCE3030K引脚图/引脚功能

NCE3030K典型应用电路图


新洁能NCE3030K典型应用电路图

应用领域


•  电源开关的应用
•  硬开关和高频电路
•  不间断电源供应

NCE3030K典型效率曲线


新洁能NCE3030K典型效率曲线

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