NCE01P13参数
|
制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
|
产品种类 |
MOSFET |
|
产品特性 |
P沟道增强型功率MOSFET |
|
漏源极击穿电压（最大） |
-100V |
|
连续漏极电流（最大） |
-13A |
|
功率耗散（最大） |
40W |
|
栅源极击穿电压 |
20V |
|
漏源导通电阻（典型值）(10V) |
170mΩ |
|
封装 |
TO220 |
NCE01P13概述
该NCE01P13采用先进的沟槽技术和设计以提供优良的RDS（ON）低栅极电荷。有可能在各种各样的应用中使用。这是ESD保护。
NCE01P13引脚图/引脚功能
NCE01P13典型应用电路图
应用领域
• 开关;电源开关
• DC / DC转换
NCE01P13典型效率曲线
