MOSFET
NCE80R1K2F
2016-01-08 16:33  点击:12
价格:未填
品牌:NCEPOWER
起订:3000
发送询价

NCE80R1K2F参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

800V   SJ-MOS Ⅱ

漏源极击穿电压(最大)

800V

连续漏极电流(最大)

5A

功率耗散(最大)

31.5W

栅源极击穿电压

30V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

1000mΩ

漏源导通电阻最大(10V)

1200mΩ

封装

TO220F

联系方式
公司:中芯谷
状态:离线 发送信件 在线交谈
姓名:黄(先生)
地区:广东-深圳市
发表评论
0评