MOSFET
NCE70R180T
2016-01-08 16:48  点击:19
价格:未填
品牌:NCEPOWER
起订:3000
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NCE70R180T参数


制造商

无锡新洁能股份有限公司

产品种类

MOSFET

产品特性

N沟道超结功率MOSFET

漏源极击穿电压(最大)

700V

连续漏极电流(最大)

21A

功率耗散(最大)

200W

栅源极击穿电压

30V

漏源导通电阻(典型值)(10V)

165mΩ

漏源导通电阻最大(10V)

190mΩ

封装

TO247


NCE70R180T概述


该系列器件采用先进的超结技术和设计,以提供出色的RDS(ON)低栅极电荷。这种超结MOSFET符合行业AC-DC开关电源为PFC,AC / DC电源的要求转换,以及工业电源应用。


NCE70R180T引脚图/引脚功能


新洁能NCE70R180T引脚图/引脚功能

NCE70R180T典型应用电路图


新洁能NCE70R180T典型应用电路图

应用领域


•  功率因数校正(PFC)
•  开关模式电源(SMPS)
•  不间断电源(UPS)

NCE70R180T典型效率曲线


新洁能NCE70R180T典型效率曲线

联系方式
公司:中芯谷
状态:离线 发送信件 在线交谈
姓名:黄(先生)
地区:广东-深圳市
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