1N50K-TA参数

UTC1N50K-TA是N沟道型功率MOSFET的UTC采用的先进技术，为客户提供平面条纹和DMOS技术。该技术允许的最小导通电阻和出色的开关性能。它也可以承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。该UTC1N50K-TA是高效率的开关一般用于式电源，有源功率因数校正和电子基于半桥拓扑灯镇流器。