品牌:UTC
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UTT20N06参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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20A，60V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低CRSS、高开关速度、低栅极电荷
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电压VDSS
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60V
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电流ID
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20A
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电流IDM
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80A
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雪崩能力EAS
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170mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/ TO251/ TO263/ TO252
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替换型号
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/
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UTT20N06概述
UTT20N06是UTC一个N沟道增强型电源UTC采用的先进技术，为客户提供MOSFET以最小导通电阻和出色的开关性能。它也可以承受的高能量脉冲雪崩和减刑模式。该UTC UTT20N06在低压普遍应用，如汽车，为直流/直流转换器和直流高效率的开关电机控制。
UTT20N06引脚图/引脚功能
