品牌:NCEPOWER
起订:3000
发送询价
NCE60R1K2D参数
|
制造商
|
无锡新洁能股份有限公司
|
|
产品种类
|
MOSFET
|
|
产品特性
|
N沟道超级结MOSFET功率
|
|
Vds-漏源极击穿电压
|
600V
|
|
Id-连续漏极电流
|
4A
|
|
Pd-功率耗散
|
46W
|
|
Vgs-栅源极击穿电压
|
30V
|
|
Rds On-漏源导通电阻
|
1000mΩ
|
|
封装
|
TO-263
|
|
代换型号
|
/
|
NCE60R1K2D概述
该系列器件采用先进的超结技术和设计，以提供出色的RDS（ON）低栅极电荷。这种超结MOSFET符合业界对PFC，AC / DC电源转换，以及工业电源应用的AC-DC SMPS要求。
NCE60R1K2D引脚图/引脚功能
NCE60R1K2D典型应用电路图
NCE60R1K2D典型效率曲线
应用领域
• 功率因素校正
• 开关模式电源与供应
• 持续电源供应