品牌:UTC
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3N60K参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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3A，600V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速切换能力
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电压VDSS
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600V
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电流ID
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3A
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电流IDM
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12A
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雪崩能力EAS
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150mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F/ TO220F2/ TO252
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替换型号
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3N60K概述
3N60K是UTC一种高电压，大电流电源的MOSFET，设计成具有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，改进的dv / dt能力，高耐用性，并高雪崩崎岖的特点。这是功率MOSFET通常在电力高速开关应用中使用用品，PWM马达控制，高效率的DC到DC转换器和桥接电路。
3N60K引脚图/引脚功能
3N60K典型应用电路图
