品牌:UTC
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7N65K参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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7.4A，650V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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超低栅极电荷、低反向传输电容、快速切换能力
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电压VDSS
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650V
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电流ID
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7.4A
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电流IDM
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29.6A
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雪崩能力EAS
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200mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/ TO220F/ TO263
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替换型号
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/
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7N65K概述
7N65K是UTC一个高电压功率MOSFET和被设计成具有更好的特性，如快速切换时间，低栅极电荷，低通态电阻，雪崩能量测试、改进的dv / dt能力，高耐用性，具有较高的坚固雪崩特点。这个功率MOSFET通常在使用高速开关电源和适配器开关应用。
7N65K引脚图/引脚功能
7N65K典型应用电路图
