品牌:NCEPOWER
起订:3000
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NCE8580D参数
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制造商
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无锡新洁能股份有限公司
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产品种类
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MOSFET
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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85V
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Id-连续漏极电流
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80A
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Pd-功率耗散
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170W
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Vgs-栅源极击穿电压
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20V
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Rds On@10V-漏源导通电阻
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6.8mΩ
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封装
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TO-263
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代换型号
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NCE8580D概述
NCE8580D采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的低栅极电荷导通电阻。该器件适用于PWM应用，负载开关和一些普通的应用。
NCE8580D引脚图/引脚功能
NCE8580D典型应用电路图
NCE8580D典型效率曲线
应用领域
• 电源开关的应用
• 开关和高频电路
• 持续电源供应