品牌:华之美
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HM3406/B参数
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制造商 |
深圳华之美半导体有限公司 |
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产品种类 |
MOSFET |
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产品特性 |
N沟道增强型功率MOSFET |
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沟道 |
N沟道 |
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漏-源电压（最大） |
30V |
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栅-源电压 |
20V |
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栅源阈值电压（典型值） |
1.6V |
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漏极直流电流（最大值） |
5.8A |
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最大脉冲漏电流 |
20A |
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栅源通态电阻 |
25mΩ |
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封装 |
SOT23/SOT23-3L |
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代换型号 |
AO3406/AP2306/SI2306/APM2306/WNM2306 |
HM3406/B概述
该HM3406采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和低栅charge.This装置适合用作负载开关和PWM应用。
HM3406/B引脚图/引脚功能
HM3406/B典型应用电路图
应用领域
• 负荷开关
• PWM应用
HM3406/B典型效率曲线
