品牌:NCEPOWER
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NCE75H21D参数
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制造商
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产品种类
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产品特性
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N沟道增强型功率MOSFET
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Vds-漏源极击穿电压
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75V
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Id-连续漏极电流
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210A
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Pd-功率耗散
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310W
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Vgs-栅源极击穿电压
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20V
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Rds On@10V-漏源导通电阻
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3mΩ
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封装
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TO-263
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代换型号
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NCE75H21D概述
NCE75H21D采用先进的沟槽技术和设计，并具有出色的通导电阻能力和低栅极电荷。NCE75H21D可以用于汽车应用以及各种其他的应用范围。
NCE75H21D引脚图/引脚功能
NCE75H21D典型效率曲线
应用领域
• 汽车应用
• 高频电路
• 持续电源供应