品牌:华之美
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HM4843参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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双P沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高功率和电流移交能力
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漏源电压VDS
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-40V
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栅源电压VGS
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-20V
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电流ID
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6A
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电流IDM
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20A
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导通内阻RDS
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73mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOP-8
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替换型号
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AO4843
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HM4843概述
该HM4843采用先进的沟槽技术提供优良的R DS（ON）时，该装置是适合用作一个负荷开关和电池保护应用。无铅产品，表面贴装封装。
HM4843引脚图/引脚功能
HM4843应用
● 电池的应用
● 负荷开关