品牌:华之美
起订:1000
发送询价
HM20N50F HM20N50A参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
500V N沟道MOSFET
|
|
产品特性
|
低栅极电荷、高坚固性、提高dv/dt 能力
|
|
漏源电压VDS
|
500V
|
|
栅源电压VGS
|
30V
|
|
电流ID
|
20A
|
|
电流IDM
|
80A
|
|
导通内阻RDS
|
0.26Ω
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO-3P/TO-220F
|
|
替换型号
|
FQP20N50/FQN20N50/UTC20N50/STP20N50
|
HM20N50F HM20N50A概述
HM20N50F HM20N50A该功率MOSFET采用Maple半导体先进的平面条DMOS技术。这种先进的技术已经特别定制以最小化导通状态电阻，提供卓越的开关性能，并承受高能脉冲雪崩和换向模式。 这些设备都很好适用于高效率开关电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
HM20N50F HM20N50A引脚图/引脚功能
