品牌:华之美
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HM50P06K参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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P沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计超低导通电阻
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漏源电压VDS
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-60V
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栅源电压VGS
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-20V
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电流ID
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-50A
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电流IDM
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-150A
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导通内阻RDS
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23mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252
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替换型号
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ME50P06/SUP50P06/SUD50P06/IRF4905/MTD50P06/NTB50P06
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HM50P06K概述
HM50P06K采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。这设备是非常适合用于高电流负载应用。充分界定雪崩电压和电流，良好的稳定性和均匀性，优秀的包装为良好的散热。
HM50P06K引脚图/引脚功能
HM50P06K典型应用电路图
HM50P06K应用
● 负荷开关