品牌:华之美
起订:1000
发送询价
HM6800参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
双N沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高功率和电流移交能力
|
|
漏源电压VDS
|
30V
|
|
栅源电压VGS
|
12V
|
|
电流ID
|
5.8A
|
|
电流IDM
|
30A
|
|
导通内阻RDS
|
25mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
SOT-26
|
|
替换型号
|
AO6800/AO6802/AO6804A/AO6810
|
HM6800概述
HM6800采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON），低栅极电荷和操作闸电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。无铅产品，表面贴装封装。
HM6800引脚图/引脚功能
HM6800应用
● PWM应用
● 负荷开关
● 电源管理