品牌:UTC
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12N50K-MT参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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12A，500V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度
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电压VDSS
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500V
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电流ID
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12A
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电流IDM
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48A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220F/ TO220F1/ TO251/ TO252
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代换型号
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/
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12N50K-MT概述
UTC 12N50K-MT是UTC采用的先进技术，为客户提供平面条形和DMOS技术N沟道模式功率MOSFET。这种技术允许在通态电阻和优越的开关性能最低。它也可以承受雪崩和减刑模式高能量脉冲。与UTC12N50K-MT基于半桥拓扑的效率高的开关式电源，有源功率因数校正和电子镇流器通常施加。
12N50K-MT引脚图/引脚功能
12N50K-MT典型应用电路图
