品牌:UTC
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4N80-N参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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4.0A，800V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度、改进dv/ dt能力
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电压VDSS
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800V
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电流ID
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4A
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电流IDM
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16A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO251/ TO252
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替换型号
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4N80-N概述
4N80-N是UTC用一个N沟道型功率MOSFET的UTC的先进技术，提供costomers条状和DMOS技术。该技术是专门从事允许最低通态电阻和出色的开关性能。 它也能承受高能量脉冲雪崩和换流模式。该UTC4N80-N是高效率开关普遍应用模式电源。
4N80-N引脚图/引脚功能
4N80-N典型应用电路图
