品牌:UTC
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4N65-R参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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4A，650V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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快速开关能力、改进的dv / dt能力，高耐用性
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电压VDSS
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650V
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电流ID
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4A
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电流IDM
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16A
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/ TO220F1
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替换型号
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/
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4N65-R概述
4N65-R是UTC一种高压功率MOSFET设计有更好的特性，如快速切换时间，低栅收费，低通态电阻，具有较高的坚固雪崩特性。这个功率MOSFET通常在高速使用开关应用包括电源，电机PWM控制，高效率的DC到DC转换器和桥接电路。
4N65-R引脚图/引脚功能
4N65-R典型应用电路图
